東北大学とロームは，ZnO（酸化亜鉛）系の紫外LEDの発光強度を，従来比で1万倍の100μWに高めた。この発光強度はInGaN/GaN系の紫外LEDの約1/10であり，「InGaN/GaN系に追い付く道が見えた」（東北大学 原子分子材料科学高等研究機構 教授の川崎雅司氏）とする。LED素子の製造にはMBE（分子線エピタキシ）法を使っており，ラジカル化させたガスを用いないドーピング法を開発した。これにより，「より量産性の高いMOCVD（有機金属気相成長）法を適用できる可能性が出てきた」（同氏）という。液晶ディスプレイのバックライトや照明に向けた白色LEDへの応用を目指す。東北大学の川崎氏と，同大学 金属材料研究所，同大学 多元物質科学研究所，およびロームの共同研究の成果である。